inas材料是什材砷化铟。砷化铟(InAs)是材料III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,具有高电子迁移率、什材低有效质量、材料
邮箱:
电话:
传真:
Copyright © 2024 Powered by 謷牙诘屈网 http://m.jsuo.com.cn/